東31号館
1. フォトルミネッセンス分光装置
レーザー光により、試料を励起した際に得られる発光スペクトルを測定する装置です。窒化物半導体の場合は、特にHe-Cdレーザ(325 nm)を励起光として使用し、紫外から赤外にわたる広い波長域で分光を行います。写真の自作装置の他に、研究設備センターに設置された極低温での測定が可能な分光装置も利用します。
2. 薄膜堆積装置
プラズマ化したガスを原料（ターゲット）に衝突させることで、原料を試料に飛ばし、堆積・成膜する装置です。ターゲットを変えることで様々な材料の成膜に利用できます。 現在は、ZnOの成膜に利用しています。
3. 電気的特性測定装置
電気的特性を測定します。測定方法、装置構成は、下記の通りです。
- C-V測定
- I-V測定
- Quasi-Static CV測定
- DLTS測定
◦高速CVメータ（Boonton 7200）
◦温度可変クライオスタット
研究設備センター 先端研究設備部門（東8号館）
1. 有機金属気相成長装置
窒化物半導体を単結晶基板上に結晶成長します。 原料の種類や供給量、ガス、時間、温度などを事前にプログラムすることにより、様々な成長条件を複雑に制御することができます。窒化物半導体混晶を組み合わせて成長することで、量子井戸などの量子ナノ構造の作製が可能で、作製した基板は半導体プロセスにより、デバイス作製などに利用します。
2. リソグラフィー装置
CADファイルなどで指定したパターンに従って、光もしくは電子線を試料面に照射する装置です。 電子線や光に対して感光する材料を、 あらかじめ 結晶成長した基板上に塗布しておくことにより、二次元的な微細構造を塗布材料に形成することができます。特に電子線リソグラフィー装置は、数nmスケールの微細なパターンの作製が可能です。
3. 走査型電子顕微鏡（SEM）
電子線を二次元的に走査しながら試料に照射し、試料から放出される二次電子を検出することで試料表面の観察を行います。光学顕微鏡と比べると、10nm程度の細かな物体の観察も可能であり、結晶成長した半導体の膜厚測定や、リソグラフィーにより基板表面に作製した微細構造の観察などに利用します。
4. X線回折装置
様々な角度からX線を試料に照射・検出することで、試料からの回折像を測定する装置です。 θ-2θ測定やロッキングカーブ測定、低角入射測定など測定方法をプログラミングしておくことで、試料の結晶格子や材料、厚み、欠陥、ひずみなどの様々な情報が得られます。
5. 走査型プローブ顕微鏡
試料-探針（カンチレバー）間の原子間力を利用して基板表面の微細な凹凸を観察します。 分解能が水平方向で1Å、垂直方向で0.1Å程度と非常に高く、結晶成長の成長モードや欠陥の有無など結晶成長プロセスに関する情報を得ることができます。
6. 膜厚測定装置
触針式の表面形状測定装置(Dektak)です。面内方向の分解能は高くありませんが、室温待機中での計測が可能でありながら、深さ方向はオングストローム程度の高い精度で測定が可能です。簡易的な膜厚測定に利用します。
研究設備センター 基盤研究設備部門（東6号館）
- 超高真空走査型トンネル顕微鏡
- X線光電子分光装置
- 透過型電子顕微鏡
- カソードルミネッセンス測定装置
レーザー新世代研究センター（西7号館）
- ラマン分光装置
