Theses 2006

平成18度（2006年度）

修士論文

• 芋川 直
  MOVPE成長InxGa1-xAsにおけるp型ドーピングの問題点及びInP/InGaAs HBTデバイスの最適化に関する研究
• 宮田 浩正
  Bi添加SiOx薄膜の構造と材料物性
• 崎野 晃滋
  電気化学的手法による酸化銅ナノ材料の作製及び太陽電池への応用
• 齋藤 貴夫
  Ni酸化物の物性評価とp-GaNオーミックコンタクトへの応用に関する研究
• 大塚 史之
  走査型トンネル顕微鏡によるGaInP/GaAsへテロ界面の粗さ解析
• 粕谷 仁一
  化学的合成によるZnOナノ構造の作製および特性評価

卒業論文

• 五十嵐 一帆
  亜酸化銅(Cu2O)を用いたナノロッドの作製
• 李 宰盛
  SiOx薄膜への光照射によるSiナノ結晶の形成
• 大下内 和樹
  InGaP/GaAs HBTの電圧ストレスによる劣化現象
• 木村 仁志
  IR-LED用InTiO透明電極の研究
• 茶木 健志郎
  MOCVD法を用いたInGaP/GaAs HBT作製におけるPH3とTBPによる膜質の比較研究
• 成瀬 健
  Si基板上にMBE法で作製したSi/Ge/SiO2の酸化:ナノクリスタルメモリへの応用
• 八田 祐希
• 渡邊 明広
  走査型プローブ顕微鏡を用いたZnOナノロッドの評価