平成23年度(2011年度)
修士論文
- 川島 佑介
カーボンドープGaAsへのInの拡散によるInGaAsの形成とその電気的特性 - 今西 弘
MOVPE法によるInAsへのカーボンドープGaAs埋め込みおよび電気的特性評価 - 小池 俊平
逆ラプラス変換アルゴリズムを用いたCharge Transient Spectroscopyの開発 - LIM SOO SING
紫外光の及ぼす低温シリコン酸化膜への影響 - 吉田 健一
MOCVD法によるNiO単結晶の作製及び評価 - 高木 保志
InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタのα線検出特性
卒業論文
- 安達 賢哉
低温酸化膜MOSキャパシターにおける界面準位密度の電気的特性評価 - 金子 達也
UV光酸化を用いたSiC MOS Capacitorの作製 - 陳 玉明
UV酸化法によるNiOニッケル酸化膜の作製および評価 - 飯島 康裕
SiOx堆積膜におけるUV光照射条件に対する酸化度への影響 - 大河 亮祐
MOVPE成長によるNiO薄膜単結晶の光学的評価に関する研究 - 金澤 敏規
InGaN系LEDにおける発光効率の温度依存性に関する研究 - 金谷 平祐
MOVPE法によるInAs/GaAs超格子へのCドープに関する研究 - 福田 米努
紫外光LED光源を用いた光触媒に関する研究 - 坂本 龍之介
ドライアイスブラスターショットを用いたSiC表面洗浄 - ANIL KUMAR
反応性イオンエッチングによるⅢ-Ⅴ族化合物半導体の選択エッチング
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